Полупроводниковые диоды: температурные свойства, емкость, классификация?

Бескрайняя тема...

Особенно бескрайняя тут классификация. Вот если сходу что-то припомнить, то это выпрямительные (силовые), импульсные, детектроные, туннельные, стабилитроны, генераторные (диоды Ганна), варикапы, светодиоды, лазерные диоды, фотодиоды... Диоды могут быть германиевые, кремениевые, арсенид-галливые (а для светодиодов вообще немеренно разных вариантов), диоды Шоттки, а по технологии изготовления - сплавные, диффузионные, точечные, эпитаксиально-планарные, на гетеропереходах и т. п.

От температуры в первую очередь зависят обратный ток (ток утечки) и прямое напряжение при заданном токе. Ообратный ток с ростом температуры растёт, причём довольно сильно, как exp(-E/kT), тут Е - некоторая энергия активации (может быть и набор таких энергий, поэтому зависимость может оказаться "многокусочной"). Прямое же напряжение с ростом темперутуры падает, причём линейно, с коэффициентом, близким к 2,5 мВ/К (для кремниевых диодов). Очень часто это применяется для измерения температуры.

Ёмкость диодов зависит прежде всего от их конструкции - от площади pn-перехода и от паразитной межвыводной ёмкости корпуса. Но обшее у всех то, что с ростом обратного напряжения эта ёмкость уменьшается, как квадратный или кубический корень из напряжения (в зависимости от того, резкий там переход или плавный). Это тоже используется - в варикапах, которые служат функциональным аналогом переменных конденсаторов.