Тунельный пробой - это квантовый эффект, относящийся к полупроводниковому p-n переходу. При некоторых условиях через p-n переход, включенный в обратном направлении (обычно в этом случае ток через переход обращается в 0), становится возможным квантовое тунелирование носителей заряда (электронов и дырок) через потенциальный барьер перехода, и, следовательно, к появлению отличного от нуля тока через переход. На макро-уровне это приводит к возникновению падающего участка на вольт-амперной характеристике p-n перехода, то есть участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Эта особенность вольт-амперной характеристики очень удобна для построения усилителей и генераторов. На основе тунельного эффекта промышленность выпускает специальные тунельные диоды.
Добавить комментарий